Geçtiğimiz hafta Qualcomm, LPDDR5X DRAM ve LPDDR5T DRAM ile uyumlu amiral gemisi akıllı telefon yonga seti Snapdragon 8 Gen 3’ü resmi olarak tanıttı. Ancak Güney Koreli SK Hynix, Samsung’un LPDDR5X RAM’inden daha hızlı olan bir LPDDR5T RAM üretti ve yeni nesil amiral gemisi akıllı telefonlar için hazır gibi görünüyor.

SK Hynix, LPDDR5T DRAM çiplerinin Snapdragon 8 Gen 3 ile uyumluluk için doğrulama sürecini tamamladığını duyurdu. Bu çipler ilk olarak Ocak 2023’te duyurulmuştu ve artık üst düzey akıllı telefonlar için hazır. RAM’ler LPDDR5X DRAM’den yaklaşık %12,5 daha hızlı olan 9,6Gbps maksimum veri hızı sunan 16GB’lık bir pakette satışa sunulacak. SK Hynix ayrıca yeni bellek yongalarının JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) tarafından öngörülen sadece 1.01~1.12V gibi çok düşük bir voltajda çalışarak sınıfının en yüksek güç verimliliğine sahip olduğunu iddia ediyor.

SK Hynix, LPDDR5T RAM yongalarının performansını ve verimliliğini artırmak için HKMG (High K Metal Gate) sürecini kullandı. Bu çipler LPDDR5X’e göre %10 daha düşük voltajda çalışıyor. Şirket, yeni LPDDR6 DRAM standardının piyasaya sürülmesinden önce yeni çiplerinin önemli bir pazar payı elde etmesini bekliyor.

Qualcomm Ürün Yönetimi Kıdemli Başkan Yardımcısı Ziad Asghar, “Yeni Snapdragon 8 Gen 3’ümüz üzerinde çalışan üretken yapay zeka uygulamaları, LLM’leri ve LVM’leri cihaz üzerinde minimum gecikmeyle ve en düşük güçle çalıştırarak heyecan verici yeni kullanım senaryoları sunuyor. SK Hynix ile yaptığımız işbirliği, en hızlı mobil belleği en yeni Snapdragon mobil platformumuzla eşleştiriyor ve akıllı telefon kullanıcıları için yapay zekalı sanal asistanlar gibi cihaz üzerinde inanılmaz, ultra kişiselleştirilmiş yapay zeka deneyimleri sunuyor.” dedi.